MOSFET a canale N MXP120 MaxSiC™ da 1200 V

I MOSFET a canale N MXP120 MaxSiC™ da 1200 V di Vishay Semiconductors presentano una tensione drain-source di 1200 V, una velocità di commutazione elevata e un tempo di resistenza a corto circuito di 3 μs. Questi MOSFET presentano inoltre una dissipazione di potenza massima da 56 W a 288 W (Tc = 25 °C) e una corrente di drain continua da 10,5 A a 53 A (Tc = 25 °C). I MOSFET a canale N MXP120 MaxSiC™ da 1200 V sono esenti da alogeni e sono disponibili nei pacchetti TO-247AD 3L, TO-247AD 4L e TO-263 7L. Questi MOSFET vengono utilizzati in caricatori, azionamenti motori ausiliari e convertitori CC-CC.

Risultati: 17
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Vishay Semiconductors MXP120A045SE-T1GE3
Vishay Semiconductors MOSFET SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Scheda dati
800A magazzino
9.85 CHF
7.12 CHF
5.93 CHF
5.48 CHF
Min: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Scheda dati
60024.03.2027 previsto
11.13 CHF
8.15 CHF
7.16 CHF
5.72 CHF
5.71 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Scheda dati
60024.03.2027 previsto
11.00 CHF
8.09 CHF
7.09 CHF
5.66 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Scheda dati
78714.04.2027 previsto
8.21 CHF
5.80 CHF
4.83 CHF
4.31 CHF
Min: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Scheda dati
58714.04.2027 previsto
8.90 CHF
5.70 CHF
4.95 CHF
4.46 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Scheda dati
78714.04.2027 previsto
7.48 CHF
5.11 CHF
4.21 CHF
3.75 CHF
Min: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Scheda dati
57114.04.2027 previsto
8.16 CHF
5.10 CHF
4.40 CHF
3.93 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Scheda dati
60014.04.2027 previsto
8.65 CHF
4.80 CHF
4.44 CHF
3.87 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 1.2 kV 18 A 200 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 25 nC - 55 C + 175 C 109 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Scheda dati
78814.04.2027 previsto
Nastro continuo
6.81 CHF
3.70 CHF
3.40 CHF
2.83 CHF
Nastrati
2.83 CHF
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 12 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Scheda dati
59514.04.2027 previsto
12.77 CHF
7.38 CHF
6.86 CHF
6.44 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3L 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Scheda dati
73811.01.2027 previsto
10.03 CHF
7.47 CHF
6.22 CHF
5.55 CHF
Min: 1
Mult.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Scheda dati
60011.01.2027 previsto
11.58 CHF
8.48 CHF
7.45 CHF
5.94 CHF
5.93 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Scheda dati
80013.01.2027 previsto
Nastro continuo
9.23 CHF
5.16 CHF
4.97 CHF
4.22 CHF
Nastrati
4.22 CHF
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Scheda dati
57311.01.2027 previsto
9.18 CHF
5.96 CHF
5.19 CHF
4.67 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Scheda dati
80011.01.2027 previsto
Nastro continuo
8.46 CHF
4.69 CHF
4.44 CHF
3.77 CHF
Nastrati
3.77 CHF
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Scheda dati
58813.01.2027 previsto
8.36 CHF
5.32 CHF
4.61 CHF
4.07 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Scheda dati
60024.04.2028 previsto
13.26 CHF
7.68 CHF
7.16 CHF
6.77 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247AD-3L 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement