JFET RF et FET LDMOS 5G

Les transistors à effet de champ de jonction (JFET) RF et les FET à semiconducteur à oxyde métallique à diffusion latérale (LDMOS) 5G de MACOM sont des transistors haute puissance thermiquement améliorés pour la prochaine génération de transmission sans fil. Ces dispositifs possèdent un GaN sur une Technologie de transistor à haute mobilité électronique (HEMT) SiC, une correspondance à l'entrée, une haute efficacité et un boîtier à montage en surface thermique amélioré avec une bride sans oreille. Les JFET MACOM 5 G RF et les FET LDMOS sont idéaux pour les applications d'amplificateur de puissance cellulaires multi-standard. 

Types de Semi-conducteurs

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MACOM FET GaN 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 53En stock
Bande coupée
165.48 CHF
140.75 CHF
139.65 CHF
Bobine
139.65 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 50
MACOM Transistors MOSFET RF 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz 90En stock
Bande coupée
94.97 CHF
79.39 CHF
77.05 CHF
Bobine
Min. : 1
Mult. : 1
: 250
MACOM FET GaN 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 17En stock
Bande coupée
113.27 CHF
95.84 CHF
Bobine
91.30 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 50
MACOM FET GaN 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
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MACOM FET GaN 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
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MACOM FET GaN 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
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