Risultati: 9
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 5 576A magazzino
Nastro continuo
1.54 CHF
0.736 CHF
0.658 CHF
0.519 CHF
0.49 CHF
Nastrati
0.419 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 950 V 6 A 1.2 Ohms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 3 868A magazzino
Nastro continuo
1.76 CHF
0.854 CHF
0.761 CHF
0.605 CHF
0.561 CHF
Nastrati
0.504 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 6 A 1.2 Ohms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 12 487A magazzino
Nastro continuo
1.56 CHF
0.745 CHF
0.654 CHF
0.519 CHF
Nastrati
0.421 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 2 Ohms 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 4 916A magazzino
Nastro continuo
2.15 CHF
1.07 CHF
0.955 CHF
0.762 CHF
0.747 CHF
Nastrati
0.667 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 750 mOhms 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 15A magazzino
2 00031.12.2026 previsto
2.10 CHF
1.16 CHF
0.917 CHF
0.732 CHF
0.728 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 6 A 1.2 Ohms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 5A magazzino
2 50018.02.2027 previsto
Nastro continuo
2.73 CHF
1.54 CHF
1.19 CHF
0.983 CHF
0.945 CHF
Nastrati
0.845 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 14 A 450 mOhms 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 460A magazzino
63 00007.01.2027 previsto
Nastro continuo
1.25 CHF
0.693 CHF
0.513 CHF
0.402 CHF
0.369 CHF
Nastrati
0.279 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 950 V 2 A 3.7 Ohms 20 V 2.5 V 6 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
2 99922.10.2026 previsto
2.05 CHF
1.44 CHF
1.10 CHF
0.945 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 750 mOhms 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
2.73 CHF
1.37 CHF
1.24 CHF
1.00 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 14 A 450 mOhms 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube