TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBTs mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit

Infineon TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBTs mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit sind die Verbindung zwischen dem L5 und H5 und für Applikationen mit Schaltungen zwischen 10 kHz und 40 kHz ausgelegt. Die IGBTs bieten einen hohe Wirkungsgrad, schnellere Markteinführungszyklen, weniger komplexe Schaltungsaufbauten, und eine Optimierung der PCB-Stücklistenkosten. Die S5 sind vollgepackt mit Funktionen, die Entwicklern helfen, Ziele zu erreichen, ohne die Schaltungskomplexität zu erhöhen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
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Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
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Infineon Technologies IGBTs Trenchstop 5 IGBT
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795Auf Lager
10 800Auf Bestellung
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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709Auf Lager
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Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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376Auf Lager
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Si Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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550Auf Lager
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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234Auf Lager
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Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
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1 072Auf Lager
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: 1 000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 270 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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1 303Auf Lager
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: 1 000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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275Auf Lager
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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297Auf Lager
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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341Auf Lager
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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1Auf Lager
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 62 A 188 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBTs Trenchstop 5 IGBT
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960Auf Bestellung
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 62 A 188 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBTs Trenchstop 5 IGBT
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239erwartet ab 15.10.2026
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBTs Trenchstop 5 IGBT
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240Auf Bestellung
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 60 Wochen
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
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Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 H5 Tube