Moduli di potenza in carburo di silicio da 2.300 V

I moduli di potenza in carburo di silicio da 2.300 V di Wolfspeed sono la prima famiglia del settore di moduli di potenza in carburo di silicio senza piastra di base da 2.300 V per applicazioni V-bus 1.500 V. Questa aggiunta alla famiglia WolfPACK™ di Wolfspeed consente alle società di carica EV veloci da mega-watt di massimizzare le prestazioni riducendo al contempo i costi di DiBa, produzione e manutenzione dei sistemi dell’utente.

Risultati: 6
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tipo
Tecnologia
Vf - Tensione diretta
Vgs - Tensione gate-source
Stile di montaggio
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Wolfspeed Moduli a semiconduttori discreti SiC, Module, 7.5mO, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM
Scheda dati
270In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C
Wolfspeed Moduli a semiconduttori discreti SiC, Module, 5mO, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial
Scheda dati
5316.10.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C
Wolfspeed Moduli a semiconduttori discreti SiC, Module, 5mO, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM
Scheda dati
5404.09.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C
Wolfspeed Moduli a semiconduttori discreti SiC, Module, 6mO, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial
Scheda dati
5404.09.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C
Wolfspeed Moduli a semiconduttori discreti SiC, Module, 6mO, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM
Scheda dati
16604.09.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C
Wolfspeed Moduli a semiconduttori discreti SiC, Module, 7.5mO, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial
Scheda dati
10814.09.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C