RGS30TSX2DHR und RGS30TSX2HR AEC-Q101-IGBTs

Die RGS30TSX2DHR und RGS30TSX2HR AEC-Q101 Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM Semiconductor sind 10µs SCSOA (Short Circuit Safety Operating Area) garantierte Bipolartransistoren mit isoliertem Gate, die sich für den allgemeinen Wechselrichtereinsatz in Automotive- und Industrieapplikationen eignen. Die RGS30TSX2DHR und RGS30TSX2HR bieten einen geringen Leitungsverlust, der zu einer geringeren Größe und einem verbesserten Wirkungsgrad beiträgt. Diese Bauelemente nutzen die originale Trench-Gate- und Thin-Wafer-Technologie. Mithilfe dieser Technologien kann eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) mit reduzierten Schaltverlusten erzielt werden. Diese IGBTs bieten höhere Energieeinsparungen in einer Vielzahl von Hochspannungs- und Hochstrom-Applikationen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 1200V 15A TRNCH
Datenblatt
547Auf Lager
7.92 CHF
4.66 CHF
3.94 CHF
3.84 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Automotive Field Stop Trench IGBT
Datenblatt
96Auf Lager
6.83 CHF
3.98 CHF
3.34 CHF
3.18 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube