MOSFET U-MOSX-H per il settore automobilistico

I MOSFET U-MOSX-H per il settore automobilistico di Toshiba sono qualificati AEC-Q101 con bassa resistenza in conduzione sorgente di drenaggio. L'U-MOSX-H presenta una bassa corrente di dispersione di iDSS = 10 µA (max) (VDS = 100 V). I dispositivi sono ideali per applicazioni come il settore automobilistico, tensione di commutazione, regolatori, convertitori CC-CC e driver di motori. 

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Confezione
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-ADVANCE(E) PD=250W F=1MHZ 3 334A magazzino
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: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 238 A 1.9 mOhms 20 V 3.5 V 108 nC + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1 202A magazzino
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Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 1.92 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 184 nC + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 80V 2.55mOhm N-ch MOSFET AEC-Q SOP Advance(WF)
5 00016.11.2026 previsto
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Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.55 mOhms 20 V 3.5 V 95 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR SOP Advance(WF) PD=132W F=1MHZ
5 00031.07.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 80 A 5.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 63 nC + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel