MOSFET – Mouser Svizzera

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MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 25 V

I MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 25 V di Infineon Technologies offrono prestazioni ottimizzate per l'applicazione, consentendo prestazioni di picco per data center, server, IA e molto altro. I MOSFET sono disponibili in topologie di commutazione dura e commutazione morbida. I dispositivi ottimizzati per la commutazione dura offrono eccezionali rapporti di Miller, FOM e RDS_(on). I MOSFET ottimizzati per la commutazione morbida offrono RDS_(on) e FOMQ_g estremamente bassi.

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Codice

MOSFET OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: 4.11 CHF
42A magazzino
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IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1

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726-IQEH42NE2LM7ZCGS

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1 Channel

25 V

460 A

12 V

1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

MOSFET OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: 3.69 CHF
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IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
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348 A

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2 V

22 nC

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OptiMOS

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MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
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298 A

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
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OptiMOS

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IQEH54NE2LM7UCGATMA1
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726-IQEH54NE2LM7UCGA

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IQEH68NE2LM7UCGATMA1
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1: 2.12 CHF
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OptiMOS

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MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: 2.53 CHF
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N-Channel

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25 V

282 A

800 uOhms

16 V

2 V

17.2 nC

- 55 C

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107 W

Enhancement

OptiMOS

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MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH84NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: 1.86 CHF
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IQEH84NE2LM7UCGATMA1

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726-IQEH84NE2LM7UCGA

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25 V

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17.2 nC

- 55 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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