MOSFET di tipo trench a canale N 2N7002H

I MOSFET di tipo trench a canale N 2N7002H di Nexperia sono MOSFET a FET (Field-Effect Transistor) ad arricchimento. Il 2N7002H è alloggiato in un piccolo package in plastica a montaggio superficiale (SMD) SOT23. I MOSFET sono compatibili a livello logico, hanno una commutazione molto rapida e sono certificati AEC-Q101.

Risultati: 3
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
Nexperia MOSFET 2N7002H/SOT23/TO-236AB 27 288A magazzino
9 00013.10.2026 previsto
Nastro continuo
0.153 CHF
0.067 CHF
0.059 CHF
0.043 CHF
Nastrati
0.033 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 360 mA 1.6 Ohms 20 V 2.4 V 300 pC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET 2N7002HS/SOT363/SC-88 100A magazzino
15 00012.07.2027 previsto
Nastro continuo
0.322 CHF
0.139 CHF
0.121 CHF
0.082 CHF
0.078 CHF
Nastrati
0.054 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT TSSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 1.6 Ohms 20 V 2.4 V 300 pC - 55 C + 150 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET 2N7002HW/SOT323/SC-70 17 283A magazzino
12 00011.06.2027 previsto
Nastro continuo
0.241 CHF
0.105 CHF
0.091 CHF
0.068 CHF
0.06 CHF
Nastrati
0.051 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 310 mA 1.6 Ohms 20 V 2.4 V 300 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel