MOSFET a canale N NTBGSxDxN15MC e NVBGSxDxN15MC

I MOSFET a canale N NTBGSxDxN15MC e NVBGSxDxN15MC di onsemi presentano una tensione drain-to-source di 150 V (V(BR)DSS) e bassi rumori di commutazione/EMI. Questi dispositivi offrono bassi QG e capacità elettrica per minimizzare le perdite del driver e un basso RDS(on) per minimizzare le perdite di conduzione. I MOSFET NTBGSxDxN15MC e NVBGSxDxN15MC sono disponibili in una versione con package D2PAK7 senza piombo, senza alogeni/BFR, e conforme a RoHS. Le applicazioni tipiche includono utensili elettrici, aspirapolvere a batteria, veicoli aerei (UAV)/droni senza equipaggio, movimentazione dei materiali, azionamento di motori, domotica carrelli elevatori industriali e sistemi di controllo della trazione.

Risultati: 2
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
onsemi MOSFET PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL 883A magazzino
Nastro continuo
6.36 CHF
3.43 CHF
3.14 CHF
2.98 CHF
Nastrati
2.91 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 150 V 121 A 7 mOhms 20 V 4.5 V 57 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL 1 158A magazzino
Nastro continuo
6.33 CHF
3.41 CHF
3.14 CHF
2.94 CHF
Nastrati
2.94 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 150 V 185 A 4.1 mOhms 20 V 4.5 V 88.9 nC - 55 C + 175 C 316 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel