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MAX22701EASA+

Name: Analog Devices Inc. MAX22701EASA+
Brand: Analog Devices / Maxim Integrated
SKU: 700-MAX22701EASA+
Price: 4.63 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

700-MAX22701EASA+

Herst.- Nr.:

MAX22701EASA+

Herst.:

Analog Devices / Maxim Integrated

Beschreibung:

Gate-Treiber Ultra-High CMTI Silicon-Carbide (SiC) ga

Datenblatt:

MAX22701EASA+ Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Analog Devices Inc.
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Isolated Gate Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	100 mA
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsspannung - Max.:	28 V
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Anstiegszeit:	3.6 ns
Abfallzeit:	2.5 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Tube
Marke:	Analog Devices / Maxim Integrated
Entwicklungs-Kit:	MAX22701EVKIT
Logiktyp:	CMOS
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	5 mA, 6 mA
Ausgangsspannung:	19.95 V
Pd - Verlustleistung:	750.89 mW
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	36 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.5 Ohms
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	100
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	SiC
Gewicht pro Stück:	2,455 g

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Datenblatt

MAX22701EASA+ Datenblatt

RoHS Certificate (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390070
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Taiwan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MAX2270x Isolierte Gate-Treiber mit extrem hoher CMTI

Maxim MAX2270x Isolierte Gate-Treiber mit extrem hoher CMTI sind isolierte Einkanal-Gate-Treiber mit extrem hoher Gleichtakt-Transientenimmunität (CMTI) von 300 kV/µs (typisch). Die Bauteile sind für den Antrieb von Siliziumkarbid(SiC)- oder Galliumnitrid(GaN)-Transistoren in verschiedenen Wechselrichter- oder Motorsteuerungsapplikationen ausgelegt. Alle Bauteile verfügen mithilfe der proprietären Prozesstechnologie von Maxim über eine integrierte digitale galvanische Trennung. Die Bauteile sind in Ausführungen für Ausgangsoptionen mit dem gängigen GNDB-Pin des Gate-Treibers (MAX22700), mit Miller-Klemme (MAX22701) oder mit einstellbarer Unterspannungssperre (UVLO) (MAX22702) verfügbar. Außerdem werden Ausführungen mit Differential- (D-Versionen) oder einendigen Eingängen (E-Versionen) angeboten. Diese Bauteile übertragen digitale Signale zwischen Schaltungen mit verschiedenen Leistungsbereichen. Alle Bauteile verfügen über eine Isolierung für eine Widerstandsspannung von 3 kV_RMS für 60 Sekunden.

Leistungsmanagement-ICs

Die Leistungsmanagement-ICs von Analog Devices Inc. verfügen über unübertroffene Leistungsdichten, eine extrem rauscharme Technologie und eine hervorragende Zuverlässigkeit. Dadurch wird sichergestellt, dass Systeme mit ihrem optimalen Wirkungsgrad, Geschwindigkeit und Leistungsniveau arbeiten, während gleichzeitig die Funktionsdichte erhöht und die Kosten reduziert werden. Eine umfassende Leistungsdesigntool-Suite von Anfang bis Ende und hochkonfigurierbare Leistungsverbindungslösungen unterstützen die Leistungsmanagementlösungen von ADI mit geringer Komplexität, die Ingenieuren dabei helfen, ihre Markteinführung zu beschleunigen und gleichzeitig eine erstklassige Leistung zu liefern.