GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs

Die GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs von Nexperia sind allgemein verwendbare, normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Technologie
Nexperia GaN FETs GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
Datenblatt
2 457Auf Lager
Cut-Tape
8.56 CHF
4.75 CHF
4.50 CHF
4.12 CHF
Reel
3.82 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
SMD/SMT VQFN-7 P-Channel 1 Channel 100 V 100 A 1.8 mOhms 6 V 2.5 V 22 nC - 40 C + 150 C 65 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
Datenblatt
1 453Auf Lager
Cut-Tape
4.71 CHF
2.47 CHF
2.26 CHF
2.04 CHF
1.73 CHF
Reel
1.73 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
SMD/SMT WLCSP-22 P-Channel 1 Channel 100 V 64 A 2.7 mOhms 5.5 V 2.5 V 13 nC - 40 C + 150 C 470 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANE7R0-100CBA/SOT8090/WLCSP6
Datenblatt
988Auf Lager
Cut-Tape
2.18 CHF
1.07 CHF
0.964 CHF
0.77 CHF
Reel
0.678 CHF
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
SMD/SMT VQFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 7 mOhms 6 V 2.5 V 4.5 nC - 40 C + 150 C 182 W Enhancement GaN