Modules MOSFET – Mouser Suisse

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MOSFET SiC NXH011F120M3F2

Les modules MOSFET SiC EliteSiC NXH011F120M3F2 d'onsemi sont équipés d'une configuration en pont complet de MOSFET SiC M3S de 11 mΩ/1200 V. Les modules intègrent une thermistance et un DBC HPS dans un boîtier F2, permettant des conceptions de conversion de puissance compactes et à haut rendement. Le NXH011F120M3F2 d'onsemi propose deux types de matériau d'interface thermique pré-appliqués, ainsi qu'une version sans TIM pré-appliqué. Les modules comportent également des broches press-fit et une fabrication sans Pb, sans halogène et conforme à la norme RoHS pour l'intégration demodules d'alimentation.

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Sélectionner	Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	RoHS	Modèle de ECAO	Technologie	Style de montage	Polarité du transistor	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Conditionnement
	Modules MOSFET 15 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, 4-PACK Full Bridge Topology,F1Package NXH015F120M3F1P1TG onsemi 1: 61.78 CHF 28En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence NXH015F120M3F1P1TG Référence Mouser 863-H015F120M3F1P1TG Nouveau produit	onsemi	Modules MOSFET 15 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, 4-PACK Full Bridge Topology,F1Package En savoir plus sur onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Fiche technique	28En stock	61.78 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 3			SiC	Press Fit	N-Channel	4 Channel	1.2 kV	77 A	19 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	198 W	Tray
	Modules MOSFET Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package NXH011F120M3F2P1THG onsemi 1: 122.21 CHF 2014.12.2026 attendu Nouveau produit	Fab. Numéro de référence NXH011F120M3F2P1THG Référence Mouser 863-011F120M3F2P1THG Nouveau produit	onsemi	Modules MOSFET Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package En savoir plus sur onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Fiche technique	2014.12.2026 attendu	122.21 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 2			SiC	Press Fit	N-Channel	4 Channel	1.2 kV	105 A	16 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	244 W	Tray
	Modules MOSFET Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package NXH011T120M3F2P1THG onsemi 1: 106.98 CHF 2014.12.2026 attendu Nouveau produit	Fab. Numéro de référence NXH011T120M3F2P1THG Référence Mouser 863-011T120M3F2P1THG Nouveau produit	onsemi	Modules MOSFET Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package En savoir plus sur onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Fiche technique	2014.12.2026 attendu	106.98 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 2			SiC	Press Fit	N-Channel	4 Channel	1.2 kV	91 A	16 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	272 W	Tray
	Modules MOSFET EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package NXH006P120M3F1PG onsemi 1: 58.52 CHF 2816.02.2027 attendu Nouveau produit	Fab. Numéro de référence NXH006P120M3F1PG Référence Mouser 863-NXH006P120M3F1PG Nouveau produit	onsemi	Modules MOSFET EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package En savoir plus sur onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Fiche technique	2816.02.2027 attendu	58.52 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 3			SiC	Press Fit	N-Channel	2 Channel	1.2 kV	200 A	9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	333 W	Tray
	Modules MOSFET EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package NXH006P120M3F1PNG onsemi 1: 66.74 CHF 2816.02.2027 attendu Nouveau produit	Fab. Numéro de référence NXH006P120M3F1PNG Référence Mouser 863-XH006P120M3F1PNG Nouveau produit	onsemi	Modules MOSFET EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package En savoir plus sur onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Fiche technique	2816.02.2027 attendu	66.74 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 3			SiC	Press Fit	N-Channel	2 Channel	1.2 kV	240 A	9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	500 W	Tray
	Modules MOSFET EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package NXH008P120M3F1PNG onsemi 1: 64.61 CHF 2816.02.2027 attendu Nouveau produit	Fab. Numéro de référence NXH008P120M3F1PNG Référence Mouser 863-XH008P120M3F1PNG Nouveau produit	onsemi	Modules MOSFET EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package En savoir plus sur onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Fiche technique	2816.02.2027 attendu	64.61 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 3			SiC	Press Fit	N-Channel	2 Channel	1.2 kV	145 A	10.9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	382 W	Tray