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FDT4N50NZU

Name: onsemi FDT4N50NZU
Brand: onsemi
SKU: 863-FDT4N50NZU
Price: 1.71 CHF
Availability: InStock

N° Mouser :

863-FDT4N50NZU

N° de fab. :

FDT4N50NZU

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET UNIFET II 3OHM SOT223

Fiche technique:

FDT4N50NZU Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	500 V
Id - Courant continu de fuite:	2 A
Rds On - Résistance drain-source:	3 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.5 V
Qg - Charge de grille:	9.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Type de produit:	MOSFETs
Série:	FDT4N50NZU
Nombre de pièces de l'usine:	4000
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

FDT4N50NZU Fiche technique (PDF)

PCN

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: République tchèque

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET UniFET II FDT4N50NZU

Le MOSFET UniFET II FDT4N50NZU onsemi est un MOSFET haute tension basé sur une technologie avancée à bande planaire et DMOS. Le MOSFET a une faible résistance à l'état passant parmi les MOSFET planaires. Il fournit des performances de commutation supérieures et une meilleure résistance à l'énergie d'avalanche. Une diode ESD grille-source interne permet au MOSFET UniFET II de résister à une surtension de plus de 2 kV HBM.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

MOSFET de puissance à canal N NVMTS1D1N08X

MOSFET 80 V pour l'industrie automobile avec diode de corps à faible résistance de conduction et récupération douce.

MOSFET de puissance à canal N simple 80 V

Offrent une faible R_DS(on), pour réduire les pertes par conduction, pour une faible QG et pour une capacité à réduire les pertes de pilotes.

MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

Présente une faible R_DS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

En stock: 7 858

Stock:: 7 858 Expédition possible immédiatement

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Minimum : 1 Multiples : 1 Maximum : 4000

Prix unitaire:

-.-- CHF

Ext. Prix:

-.-- CHF

Tarif est.:

Prix (CHF)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1.71 CHF	1.71 CHF
	0.87 CHF	8.70 CHF
	0.732 CHF	73.20 CHF
	0.593 CHF	296.50 CHF
	0.532 CHF	532.00 CHF
	0.497 CHF	994.00 CHF
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 4000)
	0.477 CHF	1 908.00 CHF

FDT4N50NZU

Fab. : onsemi

Description : MOSFET UNIFET II 3OHM SOT223

Caractéristiques

Documents (4)

Fiche technique

PCN

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

Plus d'informations

MOSFET UniFET II FDT4N50NZU

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En stock: 7 858

Prix (CHF)

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Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET UNIFET II 3OHM SOT223

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