Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Die Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen werden unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 2./3. Generation von ST entwickelt.  Die Bauteile verfügen über einen niedrigen On-Widerstand pro Flächeneinheit und eine sehr gute Schaltleistung. Die MOSFETs verfügen über eine sehr hohe Betriebstemperaturbelastbarkeit (TJ = 200°C) und eine sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode.

Ergebnisse: 18
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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
Datenblatt
32Auf Lager
1 200erwartet ab 19.02.2027
Cut-Tape
18.32 CHF
12.58 CHF
11.56 CHF
Reel
10.46 CHF
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C 555 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
570Auf Lager
19.16 CHF
11.38 CHF
11.04 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP247-3 1 Channel 900 V 110 A 15.8 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 138 nC - 55 C + 200 C 625 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
524Auf Lager
21.36 CHF
13.36 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP-247-4 1 Channel 1.2 kV 129 A 15 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 167 nC - 55 C + 200 C 673 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
246Auf Lager
600erwartet ab 23.07.2027
16.29 CHF
9.80 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole Hip247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C + 200 C 541 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
960Auf Lager
Cut-Tape
10.97 CHF
6.24 CHF
6.22 CHF
Reel
5.89 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
13Auf Lager
1 200Auf Bestellung
16.99 CHF
11.72 CHF
10.70 CHF
9.84 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP-247-4 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
Datenblatt
44Auf Lager
600erwartet ab 14.05.2027
15.26 CHF
9.49 CHF
8.90 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP247-3 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Datenblatt
16Auf Lager
600erwartet ab 14.05.2027
11.19 CHF
7.85 CHF
6.00 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP-247-3 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
Datenblatt
5Auf Lager
600erwartet ab 19.02.2027
16.24 CHF
8.70 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP-247-3 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
Datenblatt
1 200Auf Bestellung
Cut-Tape
22.11 CHF
16.61 CHF
15.26 CHF
Reel
14.00 CHF
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 750 V 110 A 15 mOhms - 10 V, + 22 V 3.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
1 985Auf Bestellung
Cut-Tape
20.77 CHF
14.24 CHF
13.86 CHF
Reel
12.83 CHF
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 112 A 22 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 150 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
1 997erwartet ab 20.08.2027
Cut-Tape
14.78 CHF
9.15 CHF
9.11 CHF
Reel
8.66 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 55 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
998erwartet ab 29.01.2027
Cut-Tape
18.78 CHF
12.23 CHF
12.21 CHF
11.48 CHF
Reel
10.92 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 900 V 110 A 12 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 138 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
Datenblatt
1 200erwartet ab 12.03.2027
Cut-Tape
13.27 CHF
8.50 CHF
7.47 CHF
Reel
6.36 CHF
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 1.2 kV 40 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
Datenblatt
600erwartet ab 08.10.2027
Cut-Tape
11.00 CHF
8.38 CHF
6.98 CHF
Reel
6.22 CHF
5.89 CHF
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SMD/SMT H2PAK-2 1 Channel 650 V 7 A 40 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V 36 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Datenblatt
1 800Auf Bestellung
Cut-Tape
10.90 CHF
7.04 CHF
6.41 CHF
Reel
5.83 CHF
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 29 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
Datenblatt
599erwartet ab 11.11.2026
Cut-Tape
11.81 CHF
8.11 CHF
7.14 CHF
Reel
6.44 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
100Auf Bestellung
10.80 CHF
7.11 CHF
6.24 CHF
5.32 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP247-4 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101