STP65N150M9

STMicroelectronics
511-STP65N150M9
STP65N150M9

Produttore:

Descrizione:
MOSFET N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET
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STMicroelectronics
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
20 A
150 mOhms
- 30 V, 30 V
3.2 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
140 W
Enhancement
Tube
Marchio: STMicroelectronics
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 10 ns
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 5 ns
Serie: MDmesh M9
Quantità colli di fabbrica: 1000
Sottocategoria: Transistors
Ritardo di spegnimento tipico: 40 ns
Tipico ritardo di accensione: 12 ns
Peso unità: 2 g
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Codici di conformità
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET di potenza MDmesh™ M9

I MOSFET di potenza MDmesh™ M9 di STMicroelectronics sono caratterizzati da una struttura migliorata, bassa resistenza ON e bassi valori di carica di gate.  Questi MOSFET di potenza offrono un'elevata robustezza del diodo inverso dv/dt e del MOSFET dv/dt, un'elevata densità di potenza e basse perdite di conduzione. I MOSFET di potenza MDmesh M9 offrono anche alta velocità di commutazione, alta efficienza e basse perdite di potenza di commutazione. Questi MOSFET di potenza sono progettati con un'innovativa tecnologia di super-giunzione ad alta tensione che fornisce una cifra di merito (FoM) eccezionale. L'alto FoM consente livelli di potenza e densità più elevati per soluzioni più compatte. Le applicazioni tipiche includono server, data center di telecomunicazione, stazioni di alimentazione 5G, microinverter e caricabatterie rapidi.

MOSFET di potenza STP65N150M9

Il MOSFET di potenza STMicroelectronics STP65N150M9 è basato sulla tecnologia a supergiunzione MDmesh M9. Il dispositivo è adatto per MOSFET a tensione media/alta con RDS(on) molto basso per area. La tecnologia M9 basata sul silicio trae vantaggio da un processo di produzione multi-drain, che consente di migliorare la struttura del dispositivo. In questo modo, il prodotto offre una resistenza in conduzione e valori di carica del gate più bassi tra tutti i MOSFET di potenza a supergiunzione e commutazione rapida basati sul silicio. Ciò lo rende adatto per applicazioni che richiedono densità di potenza superiore ed efficienza eccezionale.

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