MOSFET SJ PFD7 CoolMOS™ da 950 V

I MOSFET SJ PFD7 CoolMOS™ da 950 V di Infineon Technologies offrono tecnologie Super Junction (SJ). La tecnologia SJ è ideale per applicazioni SMPS industriali e di illuminazione incorporando le migliori prestazioni del settore con facilità d'uso all'avanguardia. Il PFDJ fornisce un diodo corpo ultrarapido integrato che consente l'uso in topologie risonanti con carica minima di recupero inverso (Qrr).

Risultati: 10
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Scheda dati
1 914A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Scheda dati
940A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 74.7 A 60 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 315 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Scheda dati
1 621A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Scheda dati
1 945A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Scheda dati
349A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 13.9 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Scheda dati
419A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8.7 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 155 C 31 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Scheda dati
721A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Scheda dati
308A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Scheda dati
747A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Scheda dati
3 740In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube