MOSFET EliteSiC M1

Les MOSFET EliteSiC M1  d'onsemi disposent  d'une tension nominale de 1 200 V et 1 700 V. Les MOSFET M1  d'onsemi sont conçus pour répondre aux besoins des applications à haute puissance qui exigent fiabilité et efficacité. Les MOSFET EliteSiC M1 sont disponibles en diverses options de boîtier, notamment D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD et pastille nue.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Nom commercial

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V 1 338En stock
17.03 CHF
12.00 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 2 372En stock
10.90 CHF
6.07 CHF
5.84 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 947En stock
Bande coupée
16.97 CHF
12.75 CHF
12.07 CHF
Bobine
12.07 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L 753En stock
29.03 CHF
22.61 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.7 kV 81 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 660En stock
10.25 CHF
5.66 CHF
5.38 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 80 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 1 830En stock
Bande coupée
7.60 CHF
4.45 CHF
4.16 CHF
3.93 CHF
Bobine
3.93 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V 1 040En stock
11.14 CHF
6.22 CHF
6.19 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 1 930En stock
Bande coupée
9.77 CHF
5.49 CHF
5.35 CHF
5.06 CHF
Bobine
5.06 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A 1 182En stock
13.17 CHF
9.00 CHF
8.50 CHF
8.21 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1 84En stock
Bande coupée
44.58 CHF
36.18 CHF
32.32 CHF
Bobine
32.32 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 266En stock
38.82 CHF
33.02 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART 224En stock
22.86 CHF
15.10 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART 181En stock
11.53 CHF
6.14 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 53En stock
Bande coupée
23.50 CHF
17.62 CHF
16.28 CHF
14.59 CHF
Bobine
14.59 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS 20MW 1200V 2 160En stock
Bande coupée
31.37 CHF
23.72 CHF
23.71 CHF
22.45 CHF
Bobine
22.45 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET 20MW 1200V 745En stock
31.11 CHF
21.94 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET 20MW 1200V 755En stock
42.15 CHF
35.31 CHF
31.95 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 426En stock
Bande coupée
11.01 CHF
6.55 CHF
6.20 CHF
Bobine
6.20 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 177En stock
27.64 CHF
22.04 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART 1 733En stock
8.29 CHF
5.86 CHF
4.88 CHF
4.34 CHF
4.07 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V 363En stock
45026.10.2026 attendu
18.79 CHF
11.84 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 477En stock
45025.06.2027 attendu
8.09 CHF
4.44 CHF
4.09 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 990En stock
80023.04.2027 attendu
Bande coupée
10.70 CHF
7.12 CHF
6.58 CHF
5.55 CHF
Bobine
5.55 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 183En stock
10.52 CHF
5.84 CHF
5.58 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L
6 109Sur commande
Bande coupée
32.54 CHF
26.45 CHF
24.89 CHF
23.33 CHF
Bobine
23.33 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 71 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 222 nC - 55 C + 175 C 428 W Enhancement EliteSiC