Risultati: 7
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale
Infineon Technologies MOSFET SiC SIC_DISCRETE 712A magazzino
17.68 CHF
13.14 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 52 A 59 mOhms - 7 V, + 20 V 5.7 V 57 nC - 55 C + 175 C 228 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1 701A magazzino
11.77 CHF
7.08 CHF
6.98 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 299A magazzino
8.38 CHF
4.82 CHF
4.46 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
24 949In ordine
Nastro continuo
4.87 CHF
3.19 CHF
2.39 CHF
1.99 CHF
Nastrati
1.73 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
1 660In ordine
14.92 CHF
11.36 CHF
9.47 CHF
8.43 CHF
7.88 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 56 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
978In ordine
6.66 CHF
4.11 CHF
3.80 CHF
3.02 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 3.5 V 13 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET Tempo di consegna, se non a magazzino 52 settimane
7.05 CHF
4.15 CHF
3.44 CHF
3.43 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC