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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 299Auf Lager
7.37 CHF
4.47 CHF
4.40 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC_DISCRETE 724Auf Lager
17.68 CHF
12.96 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 52 A 59 mOhms - 7 V, + 20 V 5.7 V 57 nC - 55 C + 175 C 228 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 1 731Auf Lager
11.58 CHF
7.20 CHF
6.98 CHF
6.90 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 18Auf Lager
720Auf Bestellung
6.66 CHF
4.69 CHF
3.80 CHF
2.99 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 3.5 V 13 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
24 949Auf Bestellung
Cut-Tape
4.87 CHF
3.19 CHF
2.39 CHF
1.99 CHF
Reel
1.73 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
2 160Auf Bestellung
14.92 CHF
11.36 CHF
9.47 CHF
8.43 CHF
7.88 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 56 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
3.44 CHF
3.43 CHF
Min.: 240
Mult.: 240
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC