Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

QPD0020TR7

Name: Qorvo QPD0020TR7
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0020TR7
Price: 59.66 CHF
Availability: OutOfStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

772-QPD0020TR7

N. produttore:

QPD0020TR7

Produttore:

Qorvo

Descrizione:

GaN FETs DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

Scheda dati:

QPD0020TR7 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Qorvo QPD0020TR7

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Qorvo
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	QFN-20
Marchio:	Qorvo
Configurazione:	Single
Kit di sviluppo:	QPD0020EVB02
Guadagno:	16.7 dB
Frequenza di lavoro massima:	2.69 GHz
Frequenza di lavoro minima:	2.62 GHz
Potenza di uscita:	34.7 W
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Serie:	QPD0020
Quantità colli di fabbrica:	500
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	HEMT
Alias n. parte:	QPD0020

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

QPD0020TR7 Scheda dati (PDF)

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

Codici di conformità

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Stati Uniti d'America
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Transistor di potenza RF GaN QPD0020

I transistor di potenza RF GaN QPD0020 di Qorvo presentano un HEMT separato senza accoppiamento da 35 W GaN su SiC che opera da CC a 6 GHz su una guida di alimentazione da +48 V. I dispositivi sono adatti per applicazioni di stazioni base, radar e comunicazioni. I transistor supportano la modalità di funzionamento a impulsi e CW. Il QPD0020 può essere utilizzato nell'architettura Doherty per la fase finale di un amplificatore di potenza di una stazione base per piccoli sistemi a celle, microcelle e antenna attiva. Il QPD0020 può anche essere utilizzato come driver in un amplificatore di potenza di una stazione di base a macrocella.

PRODOTTI IN PRIMO PIANO

QORVO

HEMT GaN/SiC da 300W QPD2560L

Progettato per applicazioni esigenti in banda L, opera in un intervallo di frequenza compreso tra 1,0 GHz e 1,5 GHz.

Maggiori informazioni

Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1014A

HEMT GaN su SiC discreti con adattamento di ingresso da 15 W (P_3dB), 50 Ω, che operano da 30 MHz a 1,2 GHz.

Maggiori informazioni

Transistori GaN con adattamento di ingresso QPD1011A

HEMT GaN su SiC discreti da 7 W (P_3dB), con adattamento di ingresso a 50 Ω, operanti da 30 MHz a 1,2 GHz.

Maggiori informazioni

Transistori QPD1004A GaN con adattamento di ingresso

I transistori discreti GaN con adattamento di ingresso da 25 W, 50 Ω su HEMT in carburo di silicio (SiC) funzionano da 30 MHz a 1.400 MHz su un rail di alimentazione da 50 V.

Maggiori informazioni

Transistor di potenza RF GaN QPD1035

GaN discreto 40 W su HEMT SiC che opera da CC a 6 GHz con un’alimentazione 50 V.

Maggiori informazioni

Disponibilità

A magazzino:: 0

Puoi ancora acquistare questo prodotto per l'ordine in sospeso.

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
In ordine:: 500

18.08.2026 previsto
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 20

settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Lunghi tempi di consegna per questo prodotto.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-.-- CHF

Prezzo esteso:

-.-- CHF

Stima Tariffa:

Prezzi (CHF)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	59.66 CHF	59.66 CHF
	49.28 CHF	492.80 CHF
	46.69 CHF	1 167.25 CHF
	46.10 CHF	4 610.00 CHF
	46.09 CHF	11 522.50 CHF
Nastrati completa (ordinare in multipli di 500)
	44.17 CHF	22 085.00 CHF

QPD0020TR7

Produttore: Qorvo

Descrizione: GaN FETs DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

Caratteristiche tecniche

Documenti (1)

Scheda dati

Documenti ambientali

Conformità commerciale e del prodotto

Maggiori informazioni

Transistor di potenza RF GaN QPD0020

PRODOTTI IN PRIMO PIANO QORVO

Disponibilità

Prezzi (CHF)

QuickView

Si è verificato un errore imprevisto.

Produttore:

Qorvo

Descrizione:

GaN FETs DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

PRODOTTI IN PRIMO PIANO

QORVO