SiC-MOSFETs – Mouser Schweiz

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CoolSiC™ 1.200-V-G2-Siliciumkarbid-MOSFETs

CoolSiC™ 1.200 V G2 Siliciumcarbid -MOSFETs von Infineon Technologies bieten Hochleistungslösungen für Leistungselektronikapplikationen. Diese MOSFETs zeichnen sich durch hervorragende elektrische Eigenschaften und sehr geringe Schaltverluste aus, was einen effizienten Betrieb ermöglicht. Die 1.200 V G2-MOSFETs sind für Überlastbedingungen ausgelegt, unterstützen einen Betrieb von bis zu 200 °C und können Kurzschlüssen von bis zu 2 ° S standhalten. Diese Bauteile verfügen über eine Gate-Schwellenspannung V_GS(th) von 4,2 V und gewährleisten eine präzise Steuerung. Der CoolSiC MOSFET 1.200 V G2 ist in drei Gehäusen erhältlich, die auf den Stärken der Technologie der 1. Generation aufbauen, um fortschrittliche Lösungen für kostengünstigere, effizientere, kompaktere, einfacher zu entwerfende und zuverlässigere Systeme zu bieten. Die 2. Generation verbessert die Leistungskennzahlen für hart- und weichschaltende Topologien erheblich und ist ideal für alle gängigen Kombinationen derDC/DC-, AC/DC- und DC/AC-Stufen.

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Verpackung/Gehäuse

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Anzahl der Kanäle

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Minimale Betriebstemperatur

Maximale Betriebstemperatur

Pd - Verlustleistung

Kanalmodus

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Teile-Nr.

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R004M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 57.86 CHF
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IMCQ120R004M2HXUMA1

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726-IMCQ120R004M2HXU

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Reel

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SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

403 A

10.4 mOhms

- 10 V, 25 V

5.1 V

348 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 kW

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R018CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 15.76 CHF
188Auf Lager
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188Auf Lager

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12.00 CHF

9.99 CHF

8.62 CHF

7.58 CHF

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Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

73 nC

- 40 C

+ 175 C

356 W

Enhancement

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036AM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 11.30 CHF
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IMY120R036AM2HXKSA1

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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

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215Auf Lager

11.30 CHF

8.60 CHF

7.16 CHF

6.39 CHF

5.97 CHF

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Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

171 W

Enhancement

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 10.25 CHF
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182Auf Lager

10.25 CHF

7.63 CHF

6.37 CHF

5.48 CHF

4.82 CHF

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Mult.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

IMZC120R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 32.86 CHF
5Auf Lager
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IMZC120R007M2HXKSA1

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25.00 CHF

22.98 CHF

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PG-TO247-4-U07

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

201 A

20 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

711 W

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R010M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 23.83 CHF
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3 000erwartet ab 12.11.2026
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IMCQ120R010M2HXTMA1

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23.83 CHF

17.42 CHF

16.88 CHF

Reel

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CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R012M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: 34.34 CHF
586Auf Lager
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IMSQ120R012M2HHXUMA1

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Cut-Tape

34.34 CHF

26.66 CHF

24.89 CHF

Reel

24.89 CHF

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Mult.: 1

: 750

1.2 kV

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 11.36 CHF
1 798Auf Lager
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IMCQ120R026M2HXTMA1

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11.36 CHF

7.95 CHF

6.54 CHF

6.41 CHF

Reel

6.10 CHF

MouseReel verfügbar

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: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

82 A

67 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

405 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R034M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 9.46 CHF
1 440Auf Lager
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IMCQ120R034M2HXTMA1

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Cut-Tape

9.46 CHF

6.45 CHF

5.52 CHF

4.99 CHF

Reel

4.79 CHF

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Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

64 A

89 mOhms

- 10 V, + 25 C

5.1 V

48.7 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 7.51 CHF
330Auf Lager
750erwartet ab 15.10.2026
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IMCQ120R053M2HXTMA1

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Cut-Tape

7.51 CHF

4.94 CHF

3.81 CHF

3.55 CHF

Reel

3.55 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

43 A

138 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

32.8 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 6.58 CHF
856Auf Lager
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IMCQ120R078M2HXTMA1

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726-IMCQ120R078M2HXT

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SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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856Auf Lager

Cut-Tape

6.58 CHF

4.47 CHF

3.27 CHF

3.20 CHF

Reel

2.99 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

205 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

23.2 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: 18.94 CHF
692Auf Lager
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IMSQ120R026M2HHXUMA1

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692Auf Lager

Cut-Tape

18.94 CHF

13.65 CHF

12.61 CHF

11.78 CHF

Reel

11.78 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R040M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: 15.00 CHF
660Auf Lager
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IMSQ120R040M2HHXUMA1

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726-IMSQ120R040M2HHX

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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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660Auf Lager

Cut-Tape

15.00 CHF

10.68 CHF

9.38 CHF

8.75 CHF

Reel

8.75 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R053M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: 12.69 CHF
199Auf Lager
750erwartet ab 19.11.2026
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IMSQ120R053M2HHXUMA1

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199Auf Lager

750erwartet ab 19.11.2026

Cut-Tape

12.69 CHF

8.93 CHF

8.46 CHF

7.05 CHF

Reel

7.05 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 21.11 CHF
115Auf Lager
240erwartet ab 17.09.2026
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IMZA120R012M2HXKSA1

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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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115Auf Lager

240erwartet ab 17.09.2026

21.11 CHF

13.53 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 13.67 CHF
341Auf Lager
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IMZA120R022M2HXKSA1

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726-IMZA120R022M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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341Auf Lager

13.67 CHF

8.43 CHF

7.76 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

29 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 9.47 CHF
352Auf Lager
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IMZA120R040M2HXKSA1

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726-IMZA120R040M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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Datenblatt

352Auf Lager

9.47 CHF

5.65 CHF

4.82 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

51 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 21.11 CHF
625Auf Lager
240erwartet ab 19.11.2026
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IMZC120R012M2HXKSA1

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726-IMZC120R012M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

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625Auf Lager

240erwartet ab 19.11.2026

21.11 CHF

13.53 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

12 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

IMZC120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 16.56 CHF
579Auf Lager
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IMZC120R017M2HXKSA1

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726-IMZC120R017M2HXK

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SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

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579Auf Lager

16.56 CHF

11.96 CHF

10.39 CHF

9.92 CHF

Kostenvoranschlag

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

17 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 14.70 CHF
1 397Auf Lager
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IMZC120R022M2HXKSA1

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726-IMZC120R022M2HXK

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SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

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1 397Auf Lager

14.70 CHF

10.11 CHF

8.74 CHF

8.14 CHF

7.76 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

22 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 12.21 CHF
361Auf Lager
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IMZC120R026M2HXKSA1

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726-IMZC120R026M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

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361Auf Lager

12.21 CHF

8.66 CHF

7.34 CHF

6.45 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 9.94 CHF
961Auf Lager
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IMZC120R034M2HXKSA1

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726-IMZC120R034M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

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Datenblatt

961Auf Lager

9.94 CHF

5.97 CHF

5.14 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 8.06 CHF
687Auf Lager
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IMZC120R053M2HXKSA1

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726-IMZC120R053M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

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Datenblatt

687Auf Lager

8.06 CHF

4.75 CHF

4.02 CHF

4.01 CHF

3.90 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

53 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Reel

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Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
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Reel

8.93 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

CoolSiC™ 1.200-V-G2-Siliciumkarbid-MOSFETs

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7.5 mOhms
7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
37 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
73 nC
89 nC
124 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
171 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
356 W
382 W