MOSFET di tipo trench a canale N BSS138AK

I MOSFET canale N trench BSS138AK di Nexperiasono transistori a effetto di campo (FET) in modalità di arricchimento in piccoli contenitori per montaggio superficiale. Questi dispositivi utilizzano la tecnologia trench MOSFET e sono compatibili a livello logico. I MOSFET qualificati AEC-Q101 BSS138AK sono ideali per driver di relè, driver di linea ad alta velocità, interruttori di carico a valle e applicazioni di circuito di commutazione.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione

Nexperia MOSFET BSS138AKS-Q/SOT363/SC-88 46A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET BSS138AKW-Q/SOT323/SC-70 2 923A magazzino
3 00013.08.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SC-70-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET BSS138AK-Q/SOT23/TO-236AB
33 000In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TO-236AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
14 770In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT DFN1110D-3 N-Channel 1 Channel 60 V 340 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 6.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET BSS138AKRA-Q/SOT1268/DFN1412-6
14 99913.08.2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT DFN1412-6 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape