CoolSiC™ 1.400-V-SiC-G2-MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1.400 V Siliciumcarbid (SiC) G2 MOSFETs werden in einem TO-247PLUS-4 Reflow- Gehäuse angeboten. Diese Infineon MOSFETs eignen sich ideal für Anwendungen mit hoher Ausgangsleistung, wie z. B. das Laden von Elektrofahrzeugen (EV), Batterie Energie Speicher Batteriespeichersysteme (BESS), Nutzfahrzeuge / Baufahrzeuge / Landwirtschaftliche Fahrzeuge (CAV) und mehr. CoolSiC™ MOSFET G2 1.400 V Technologie ist eine Spitzentechnologie die verbessertes thermisches Betriebsverhalten eine erhöhte Leistungsdichte und eine gesteigerte Zuverlässigkeit bietet. Das Paket beinhaltet Reflow Fähigkeit (3x Reflow-Löten möglich), wodurch ein niedrigerer thermischer Widerstand ermöglicht wird.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Datenblatt
565Auf Lager
32.54 CHF
23.51 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC DISCRETE
Datenblatt
190Auf Lager
47.01 CHF
40.10 CHF
33.08 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC DISCRETE
Datenblatt
224Auf Lager
27.47 CHF
22.00 CHF
19.02 CHF
18.01 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC DISCRETE
Datenblatt
230Auf Lager
15.35 CHF
11.70 CHF
9.74 CHF
8.69 CHF
8.12 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC DISCRETE
Datenblatt
414Auf Lager
12.07 CHF
6.80 CHF
6.66 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
Datenblatt
238Auf Lager
Cut-Tape
25.06 CHF
20.06 CHF
17.34 CHF
Reel
17.34 CHF
16.42 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 240
Through Hole PG-TO247-4 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
342Auf Lager
12.22 CHF
9.31 CHF
7.76 CHF
6.91 CHF
6.46 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Datenblatt
67Auf Lager
240erwartet ab 23.11.2026
17.13 CHF
12.80 CHF
11.06 CHF
10.47 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
109Auf Lager
240erwartet ab 23.11.2026
14.44 CHF
8.28 CHF
8.12 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
126Auf Lager
240Auf Bestellung
14.00 CHF
10.67 CHF
8.89 CHF
7.92 CHF
7.39 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
1 440erwartet ab 21.10.2027
10.67 CHF
7.96 CHF
6.64 CHF
5.16 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC