2N7002AK N-Kanal-Trench-MOSFETs

Nexperia 2N7002AK N-Kanal -Trench -MOSFETs sind Modus - Feldeffekt-Transistoren (FETs) in kleinen oberflächenmontierten (SMD) Kunststoffgehäusen unter Verwendung der Trench- MOSFET- Technologie. Diese AEC-Q101-qualifizierten Bauteile bieten Logik-Level-Kompatibilität in einem weiten Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C. Applikationen für Nexperia 2N7002AK N-Kanal Trench MOSFETs einschließlich Relais und Hochgeschwindigkeitsleitungs-Treiber Low-Side Last Schalter und Schaltkreise.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Nexperia MOSFETs 2N7002AKRA-Q/SOT1268/DFN1412-6
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50Auf Lager
5 000erwartet ab 11.06.2027
MouseReel verfügbar
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Si SMD/SMT DFN1412-6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs 2N7002AKS-Q/SOT363/SC-88
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956Auf Lager
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFETs 2N7002AKW-Q/SOT323/SC-70
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2 963Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFETs 2N7002AK-Q/SOT23/TO-236AB
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47 988Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23 N-Channel 1 Channel 60 V 240 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFETs 2N7002AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
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4 346erwartet ab 31.05.2027
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: 5 000

Si SMD/SMT DFN1110D-3 N-Channel 1 Channel 60 V 340 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 6.9 W Enhancement Reel, Cut Tape