DXTP80x PNP-Bipolartransistoren

Diodes Incorporated DXTP80x PNP Bipolartransistoren bieten eine kleine Baugröße und ein thermisch effizientes PowerDI® 3333-8 Gehäuse, das Endprodukte mit höherer Dichte ermöglicht. Die Bauteile liefern eine Kollektor-Emitter- Spannung von > -30 V, -60 V oder -100 V und eine Emitter-Basis- Spannung > -8 V. Das DXTP80x ist ideal für Umgebungen mit hohen Temperaturen geeignet, mit einer Temperaturbewertung von +175 °C. Die PNP- Bipolartransistoren von Diodes Inc. eignen sich hervorragend für Motoren, Solenoide, Relais und Aktuator-Treibersteuerungen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Serie
Verpackung
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Datenblatt
3 111Auf Lager
Cut-Tape
0.411 CHF
0.256 CHF
0.207 CHF
Reel
0.207 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 312
: 2 000
Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 60 V 70 V 8 V 290 mV 2.4 W 180 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Datenblatt
1 001Auf Lager
5 499erwartet ab 09.04.2027
Cut-Tape
0.926 CHF
0.499 CHF
0.375 CHF
0.278 CHF
Reel
0.278 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 869
: 2 000
Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 30 V 40 V 8 V 130 mV 2.4 W 190 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Datenblatt
1 990Auf Lager
2 000erwartet ab 21.10.2026
Cut-Tape
0.87 CHF
0.416 CHF
0.359 CHF
Reel
0.359 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 399
: 2 000
Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 100 V 110 V 8 V 180 mV 2.4 W 160 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape