Transistor bipolari - BJT – Mouser Svizzera

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Transistori bipolari NPN DXTN80x

I transistori bipolari NPN DXTN80x di Diodes Incorporated offrono un package PowerDI^®3333-8 di fattore di forma piccolo ed efficiente dal punto di vista termico, consentendo prodotti finali ad alta densità. I dispositivi forniscono una tensione collettore-emettitore >30 V, 60 V o 100 V e una tensione emettitore-base >8 V. Il DXTN80x è ideale per ambienti ad alta temperatura, con una temperatura nominale di +175 °C. I transistori bipolari NPN DXTN80x di Diodes Inc. sono eccellenti per i controlli driver di motori, solenoidi relè e attuatori.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Risultati: 3

Filtri applicati:

Tensione collettore-emettitore VCEO Max

Tensione base-collettore VCBO

Tensione di saturazione collettore-emettitore

Prodotto guadagno-larghezza di banda fT

Ripristina tutto

Ricerca nei risultati

A magazzino

Normalmente a magazzino

Attivo

Nuovi prodotti

A norma RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Immagine	Codice	Produttore	Descrizione	Scheda dati	Disponibilità	Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.	Qtà	Tecnologia	Stile di montaggio	Package/involucro	Polarità transistor	Configurazione	Tensione collettore-emettitore VCEO Max	Tensione base-collettore VCBO	Tensione emettitore-base VEBO	Tensione di saturazione collettore-emettitore	Pd - Dissipazione di potenza	Prodotto guadagno-larghezza di banda fT	Temperatura di lavoro minima	Temperatura di lavoro massima	Qualifica	Serie	Confezione
Transistor bipolari - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K DXTN80060DFGQ-7 Diodes Incorporated 1: 0.411 CHF 3 674A magazzino Nuovo prodotto	Produttore Codice prodotto DXTN80060DFGQ-7 Codice Mouser 621-DXTN80060DFGQ-7 Nuovo prodotto	Diodes Incorporated	Transistor bipolari - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K Maggiori informazioni su Diodes Incorporated diodes inc dxtn80x bipolar transistors	Scheda dati	3 674A magazzino	Nastro continuo 0.411 CHF 0.256 CHF 0.207 CHF Nastrati 0.207 CHF	Min: 1 Mult.: 1 Max.: 366 : 2 000	Si	SMD/SMT	PowerVDFN-8	NPN	Single	60 V	100 V	8 V	100 mV	2.4 W	140 MHz	- 55 C	+ 175 C	AEC-Q101	DXTN	Reel, Cut Tape
Transistor bipolari - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K DXTN80030DFGQ-7 Diodes Incorporated 1: 0.87 CHF 3 319A magazzino Nuovo prodotto	Produttore Codice prodotto DXTN80030DFGQ-7 Codice Mouser 621-DXTN80030DFGQ-7 Nuovo prodotto	Diodes Incorporated	Transistor bipolari - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K Maggiori informazioni su Diodes Incorporated diodes inc dxtn80x bipolar transistors	Scheda dati	3 319A magazzino	Nastro continuo 0.87 CHF 0.416 CHF 0.359 CHF Nastrati 0.359 CHF	Min: 1 Mult.: 1 Max.: 332 : 2 000	Si	SMD/SMT	PowerVDFN-8	NPN	Single	30 V	80 V	8 V	120 mV	2.4 W	130 MHz	- 55 C	+ 175 C	AEC-Q101	DXTN	Reel, Cut Tape
Transistor bipolari - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K DXTN80100CFGQ-7 Diodes Incorporated 1: 0.87 CHF 3 960A magazzino Nuovo prodotto	Produttore Codice prodotto DXTN80100CFGQ-7 Codice Mouser 621-DXTN80100CFGQ-7 Nuovo prodotto	Diodes Incorporated	Transistor bipolari - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K Maggiori informazioni su Diodes Incorporated diodes inc dxtn80x bipolar transistors	Scheda dati	3 960A magazzino	Nastro continuo 0.87 CHF 0.416 CHF 0.359 CHF Nastrati 0.359 CHF	Min: 1 Mult.: 1 Max.: 399 : 2 000	Si	SMD/SMT	PowerVDFN-8	NPN	Single	100 V	150 V	8 V	130 mV	2.4 W	125 MHz	- 55 C	+ 175 C	AEC-Q101	DXTN	Reel, Cut Tape

Transistori bipolari NPN DXTN80x

Filtri applicati:

Ufficio Servizio Clienti

Azienda

Risorse

Assistenza