NCP5892 GaN-Leistungsschalter mit Erweiterungsmodus

Der onsemi NCP5892 GaN-Leistungsschalter mit Erweiterungsmodus integriert einen leistungsstarken Hochfrequenz-Silizium(Si)-Treiber und 650-V-Gallium-Nitrid(GaN)-High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMT) in einer einzigen Schalterstruktur. Die leistungsstarke Kombination aus dem Si-Treiber und dem GaN-HEMT-Leistungsschalter bietet eine bessere Leistung als die diskrete Lösung aus GaN-HEMT und externem Treiber. Die integrierte Implementierung des NCP5892 von Onsemi reduziert die parasitären Effekte der Schaltung und des Gehäuses erheblich und ermöglicht gleichzeitig ein kompakteres Design.

Ergebnisse: 3
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onsemi GaN FETs SINGLE CHANNEL INTEGRATED
2 975erwartet ab 06.11.2026
Cut-Tape
15.08 CHF
10.78 CHF
10.72 CHF
9.39 CHF
Reel
9.39 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 300
: 3 000
SMD/SMT TQFN-26 - 40 C + 150 C GaN
onsemi GaN FETs SINGLE CHANNEL INTEGRATED
3 000erwartet ab 09.11.2026
Cut-Tape
10.55 CHF
7.35 CHF
5.96 CHF
5.92 CHF
Reel
5.92 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 300
: 3 000
SMD/SMT TQFN-26 - 40 C + 150 C GaN
onsemi GaN FETs SINGLE CHANNEL INTEGRATED DRIVER AND GAN POWER TRANSISTOR
2 975erwartet ab 09.11.2026
Cut-Tape
7.82 CHF
5.35 CHF
4.06 CHF
4.00 CHF
Reel
4.00 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 300
: 3 000
SMD/SMT TQFN-26 - 40 C + 150 C GaN