Tube HF-Bipolartransistoren

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Serie Transistorart Technologie Transistorpolung Betriebsfrequenz DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Emitter-Basisspannung VEBO Kollektorgleichstrom Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Konfiguration Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung
Renesas / Intersil HF-Bipolartransistoren W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL 2 256Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

HFA3096 Bipolar Si NPN/PNP 8 GHz, 5.5 GHz 12 V, - 15 V 6 V, - 5 V - 55 C + 125 C Dual SMD/SMT SOIC-Narrow-16 Tube

Renesas / Intersil HF-Bipolartransistoren W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR 1 387Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

HFA3046 Bipolar Si NPN 8 GHz 40 8 V 5.5 V 65 mA - 55 C + 125 C Quint SOIC-14 Tube
Analog Devices / Maxim Integrated HF-Bipolartransistoren 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz 202Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MAX2601 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Tube
Analog Devices / Maxim Integrated HF-Bipolartransistoren 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz 179Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MAX2602 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Tube
STMicroelectronics STGWT30HP65FB
STMicroelectronics HF-Bipolartransistoren Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 600
Mult.: 300

STGWT30HP65FB Si Tube