MRFX-Baureihe 65V-LDMOS-Transistoren

Die 65V-LDMOS-Leistungstransistoren der MRFX-Baureihe von NXP Semiconductors bieten eine hohe HF-Ausgangsleistung mit überlegener Robustheit und thermischer Leistungsfähigkeit. Diese Transistoren verfügen über eine hohe Leistungsdichte, geringere Stromverluste, einen hohen Wirkungsgrad, einfachere Anpassung an 50 Ω, eine große Sicherheitsmarge und eine geringfügige magnetische Strahlung. Die höhere Leistungsdichte, der niedrige Strom und die große Sicherheitsmarge ermöglicht stärker integrierte Industrie 4.0-Systeme mit hoher Zuverlässigkeit und besserem Energiemanagement.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Transistorpolung Technologie Id - Drain-Gleichstrom Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Betriebsfrequenz Verstärkung Ausgangsleistung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V 5Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 50

N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 24.4 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz 21Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 50

N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 24.4 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape