+ 150 C HF-Verstärker

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Betriebsfrequenz
Betriebsversorgungsspannung
Betriebsversorgungsstrom
Verstärkung
NF - Noise Figure (Rauschzahl)
Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Technologie
P1dB - Kompressionspunkt
OIP3 - Ausgangsschnittpunkt der dritten Ordnung (Third Order Intercept)
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Serie
Verpackung
Infineon Technologies HF-Verstärker RF SI MMIC-Amp SIEGET 25 Tech
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

100 MHz to 3 GHz 3 V 6.7 mA 13 dB 2.3 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT SOT-343-4 Si - 2.5 dBm 13 dBm - 65 C + 150 C AEC-Q100 BGA420 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors HF-Verstärker Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50
Rolle: 50

978 MHz to 1.09 GHz 50 V 32.1 dB Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WB-14 Si - 40 C + 150 C AFIC10275 Reel
NXP Semiconductors HF-Verstärker Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
Rolle: 500

2.4 GHz to 3.1 GHz 32 V 31.9 dB Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WBG-17 Si - 40 C + 150 C AFIC31025 Reel
Qorvo HF-Verstärker 2-18GHz PAE>20% SSG 22dB GaN
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

2 GHz to 18 GHz 22 V 450 mA 22 dB Power Amplifiers SMD/SMT Die GaN - 55 C + 150 C TGA2214 Waffle
Qorvo HF-Verstärker 2.5-4GHz NF 2.5dB Gain 12.5dB RL 20dB
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50

4 GHz 6 V 320 mA 12.5 dB 2.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT Die GaAs 29 dBm 29 dBm - 55 C + 150 C TGA2613 Waffle
Qorvo HF-Verstärker GaN 3.1-3.6GHz 80W Gain 25dB PAE 56%
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10

3.6 GHz 30 V 125 mA 22 dB Power Amplifiers SMD/SMT Die GaN SiC - 55 C + 150 C TGA2814 Waffle
Qorvo HF-Verstärker 21-24GHz NF 6dB 32dBm Ga. 22dB
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
Rolle: 500

21.2 GHz to 23.6 GHz 6 V 880 mA 6 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-EP-20 Si - 40 C + 150 C TGA4533 Reel
Qorvo HF-Verstärker TGA4533-SM T/R, 21-24 GHz 1W PA
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
Rolle: 500

21.2 GHz to 23.6 GHz 6 V 880 mA 22 dB 6 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-20 Si 31 dBm 41 dBm - 40 C + 150 C TGA4533 Reel
NXP Semiconductors HF-Verstärker 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
Rolle: 500

978 MHz to 1.09 GHz 50 V 32.1 dB Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WBG-14 Si - 40 C + 150 C AFIC10275 Reel
MACOM HF-Verstärker DIE, MMIC, PA, 30W, 2.5-6.0GHz, GaN HEMT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

2.5 GHz to 6 GHz 28 V 20 mA 24 dB Power Amplifiers SMD/SMT Die GaN SiC 26 dBm - 55 C + 150 C Gel Pack
MACOM HF-Verstärker DIE, MMIC, DA, 75W, 2.7-3.5GHz, GaN HEMT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 25
Mult.: 25

2.7 GHz to 3.5 GHz 28 V 28 mA 28 dB Power Amplifiers SMD/SMT Die GaN SiC 28 dBm - 65 C + 150 C Gel Pack
Microchip Technology UA5M15MP
Microchip Technology HF-Verstärker 5-18GHz SMT Amplifier w/Int Bias
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 25
Mult.: 1

5 GHz to 18 GHz 3.3 V, 5 V 130 mA 12.5 dB 9 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT GaAs InGaP 17 dBm - 65 C + 150 C
NXP Semiconductors A3G26D055N-2400
NXP Semiconductors HF-Verstärker A3G26D055N 2400-2500 MHz Reference Circuit
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 1 Woche
Min.: 1
Mult.: 1
2.515 GHz to 2.675 GHz 13.9 dB SMD/SMT DFN-6 GaN - 55 C + 150 C A3G26D055N-2400
NXP Semiconductors MMRF2010GNR1
NXP Semiconductors HF-Verstärker Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
Rolle: 500

1.03 GHz to 1.09 GHz 50 V 32.6 dB Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WBG-14 Si - 55 C + 150 C MMRF2010 Reel
NXP Semiconductors MMRF2010NR1
NXP Semiconductors HF-Verstärker Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
Rolle: 500

1.03 GHz to 1.09 GHz 50 V 32.6 dB Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WB-14 Si - 55 C + 150 C MMRF2010 Reel