Tube SRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Qualifikation
Verpackung
Microchip Technology SRAM 4k, 5.0V EERAM EXT
Datenblatt
431erwartet ab 16.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

4 kbit 512 k x 8 400 ns 1 MHz I2C 5.5 V 4.5 V 400 uA - 40 C + 125 C SMD/SMT Tube

onsemi SRAM 256KB 3V SERIAL SRAM
Datenblatt
200erwartet ab 11.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit 32 k x 8 25 ns 20 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube

ISSI SRAM 512K, 2.4-3.6V, 10ns 32Kx16 Asynch SRAM
Datenblatt
61erwartet ab 03.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1

32 kbit 32 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tube
Alliance Memory SRAM 1M, 3.3V, 12ns, FAST 128K x 8 Asynch SRA
Datenblatt
59erwartet ab 05.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-32 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 3.3V, 28pin SOJ, 10ns, Industrial Temp - Tube
Datenblatt
235erwartet ab 08.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit 32 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-28 Tube
Alliance Memory AS7C31026B-10JIN
Alliance Memory SRAM SRAM, 1Mb, 64K x 16, 3.3V, 44pin 400 mil SOJ, 10ns, Industrial Temp, B Die
Datenblatt
155erwartet ab 24.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 64 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 80 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Tube

Microchip Technology SRAM 256K 32K X 8 1.7V SERIAL SRAM IND
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit 32 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM SQI EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Tube
Microchip Technology SRAM 4k, 5.0V EERAM EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 kbit 512 k x 8 400 ns 1 MHz I2C 5.5 V 4.5 V 400 uA - 40 C + 125 C SMD/SMT Tube
Microchip Technology SRAM 4k, 3.0V EERAM EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 kbit 512 k x 8 400 ns 1 MHz I2C 3.6 V 2.7 V 400 uA - 40 C + 125 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 16k, 3.0V EERAM EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM SQI EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
Infineon Technologies SRAM MoBL SRAM 4-Mbit
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500

4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-32 Tube
Infineon Technologies SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 765
Mult.: 765

4 Mbit 256 k x 16 15 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Infineon Technologies SRAM ASYNC SRAMS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 850
Mult.: 850

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Infineon Technologies SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 475
Mult.: 475

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 475
Mult.: 475

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube

Renesas Electronics SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 310
Mult.: 310

16 kbit 2 k x 8 25 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 95 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOIC-24 Tube
Renesas Electronics SRAM 16K X 8 DP SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 108
Mult.: 18

128 kbit 16 k x 8 20 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 320 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT PLCC-68 Tube
Renesas Electronics SRAM 8K x 8 3.3v Dual- Port Ram
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 108
Mult.: 18

64 kbit 8 k x 8 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 185 mA 0 C + 70 C SMD/SMT PLCC-68 Tube
Infineon Technologies SRAM 1Mb 10ns 128K x 8 Fast Async SRAM
Datenblatt
Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 80 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-32 Tube