Tube SRAM

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Qualifikation
Verpackung
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 3.3V, 44pin SOJ, 15ns, Commercial Temp - Tube
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 160
Mult.: 16

4 Mbit 256 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 130 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 3.3V, 44pin SOJ, 20ns, Commercial Temp - Tube
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 160
Mult.: 16

4 Mbit 256 k x 16 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 100 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 3.3V, 44pin SOJ, 20ns, Industrial Temp - Tube
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 160
Mult.: 16

4 Mbit 256 k x 16 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 512K, 32K x 16, 3.3V, 44pin SOJ, 10ns, Commercial Temp - Tube
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 160
Mult.: 16

512 kbit 32 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 75 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 512K, 32K x 16, 3.3V, 44pin SOJ, 15ns, Commercial Temp - Tube
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 160
Mult.: 16

512 kbit 32 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 70 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 512K x 8, 5V, 36pin SOJ, 15ns, Industrial Temp - Tube
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 512 k x 8 15 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 120 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 5V, 44pin SOJ, 12ns, Commercial Temp - Tube
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 160
Mult.: 16

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 160 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 5V, 44pin SOJ, 15ns, Industrial Temp - Tube
Datenblatt
Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 16 15 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 140 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 512K, 32K x 16, 5V, 44pin SOJ, 15ns, Commercial Temp - Tube
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 160
Mult.: 16

512 kbit 32 k x 16 15 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 100 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V,36 Pin SOJ (400 mil), RoHS
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
ISSI SRAM 8M (256Kx36) 200MHz Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tube
ISSI SRAM 4Mb 2.5V 7.5ns 128K x 32 Sync SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 4Mb 256Kx18 7.5ns Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

4 Mbit 128 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 185 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 8M (256Kx36) 200MHz Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3v or 2.5v I/O,165 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

18 Mbit 2.6 ns 250 MHz 3.465 V 3.135 V 500 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tube
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3v or 2.5v I/O,165 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

18 Mbit 3.1 ns 200 MHz 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tube
ISSI SRAM 4Mb 128Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.35 V 3.25 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 18Mb 1Mbx18 200Mhz Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

18 Mbit 1 M x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 2Mb 64Kx36 8.5ns Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 64 k x 36 8.5 ns 90 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 150 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 2.5v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 2.5v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 36M (1Mx36) 166MHz Sync SRAM 2.5v
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 72
Mult.: 72

36 Mbit 1 M x 36 3.5 ns 166 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 400 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 36M (2Mx18) 166MHz Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 72
Mult.: 72
Nein
36 Mbit 2 M x 18 3.5 ns 166 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 400 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tube