Automotive

Die Cypress Automotive-Lösungen sind ein AEC-Q100-qualifiziertes Portfolio, das aus Produkten besteht, welche die hohen Qualitätsanforderungen der strengen Nullfehler-Strategie bei Fertigungs- und Prüfverfahren erfüllen. MCU-, NOR-, RAM- und PMIC-Teile gewährleisten Qualität und bieten Unterstützung für Kombiinstrumente, Karosserieelektronik, HMI- und leistungsstarke Speicherlösungen.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Serie
Speichergröße
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Max. aktiver Lesestrom
Schnittstellen-Typ
Maximale Taktfrequenz
Organisation
Datenbus-Weite
Timing-Typ
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Verpackung
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1 690
Mult.: 1 690

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 676
Mult.: 676

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 2 400

SMD/SMT S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 450
Mult.: 1 450
Rolle: 1 450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 2 400

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512M FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 450
Mult.: 1 450
Rolle: 1 450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 450
Mult.: 1 450
Rolle: 1 450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 450
Mult.: 1 450
Rolle: 1 450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 450
Mult.: 1 450
Rolle: 1 450

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 450
Mult.: 1 450
Rolle: 1 450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 2 400

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 80 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray

Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 235
Mult.: 235

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 80 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous AEC-Q100 Tube
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 66 MHz Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 66 MHz Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 676
Mult.: 676

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray

Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 450
Mult.: 1 450
Rolle: 1 450

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 80 MHz Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel