GSI Technology SRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
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144 Mbit 8 M x 18 800 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V 2.05 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
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Min.: 10
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144 Mbit 8 M x 18 1.2 ns 933 MHz Parallel 1.35 V 1.25 V 2.25 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M
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Min.: 10
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144 Mbit 4 M x 36 1.066 GHz Parallel 1.35 V 1.2 V 3 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M
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Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 4 M x 36 1.2 GHz Parallel 1.35 V 1.2 V 3.2 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M
Datenblatt
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Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 4 M x 36 800 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V 2.7 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M
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Min.: 10
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144 Mbit 4 M x 36 1.2 ns 933 MHz Parallel 1.35 V 1.25 V 2.95 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
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Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 8 M x 18 1.066 GHz Parallel 1.35 V 1.2 V 2.3 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
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Min.: 10
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144 Mbit 8 M x 18 1.2 GHz Parallel 1.35 V 1.2 V 2.5 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
Datenblatt
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Min.: 10
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144 Mbit 8 M x 18 800 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V 2.05 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
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Min.: 10
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144 Mbit 8 M x 18 1.2 ns 933 MHz Parallel 1.35 V 1.25 V 2.25 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M
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Min.: 10
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144 Mbit 4 M x 36 1.066 GHz Parallel 1.35 V 1.2 V 3 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M
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Min.: 10
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144 Mbit 4 M x 36 1.2 GHz Parallel 1.35 V 1.2 V 3.2 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M
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Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 4 M x 36 800 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V 2.7 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M
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Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 4 M x 36 1.2 ns 933 MHz Parallel 1.35 V 1.25 V 2.95 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
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Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 8 M x 18 1.066 GHz Parallel 1.35 V 1.2 V 1.9 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
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Min.: 10
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144 Mbit 8 M x 18 1.2 GHz Parallel 1.35 V 1.2 V 2.15 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x18, 933MHz, Industrial Temp
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Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 8 M x 18 933 MHz Serial 1.35 V 1.25 V 1.75 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M
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Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 4 M x 36 1.066 GHz Parallel 1.35 V 1.2 V 2.4 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M
Datenblatt
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Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 4 M x 36 1.2 GHz Parallel 1.35 V 1.2 V 2.75 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x36, 800MHz, Industrial Temp
Datenblatt
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Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 4 M x 36 800 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V 1.95 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260
GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x36, 933MHz, Industrial Temp
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Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 4 M x 36 933 MHz Parallel 1.35 V 1.25 V 2.2 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
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Min.: 1
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18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 180 mA, 200 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
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Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 210 mA, 215 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
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Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 245 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
Datenblatt
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Min.: 18
Mult.: 18

18 Mbit 1 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 300 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray