PowerSaver Speicher-ICs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Organisation
Schnittstellen-Typ
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit 16 M x 16 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit 16 M x 32 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit 8 M x 32 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit 16 M x 16 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit 16 M x 32 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit 8 M x 32 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit 16 M x 16 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit 8 M x 32 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit 32 M x 16 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit 32 M x 16 - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit 16 M x 32 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit 16 M x 32 - 40 C + 105 C Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit 1 M x 16 Parallel - 40 C + 85 C
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 96
Mult.: 96

SRAM SMD/SMT TSOP-48 16 Mbit 1 M x 16 Parallel - 40 C + 85 C
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit 1 M x 16 Parallel - 40 C + 85 C Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

SRAM SMD/SMT TSOP-48 16 Mbit 1 M x 16 Parallel - 40 C + 85 C Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-1.98v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 16 Mbit 1 M x 16 Parallel - 40 C + 85 C
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-1.98v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 16 Mbit 1 M x 16 Parallel - 40 C + 85 C Reel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit 128 k x 16 Parallel - 40 C + 85 C Reel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 2 Mbit 128 k x 16 Parallel - 40 C + 85 C
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 4 Mbit 256 k x 16 Parallel - 40 C + 85 C Reel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-36 2 Mbit 256 k x 8 Parallel - 40 C + 85 C
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SRAM SMD/SMT TFBGA-36 2 Mbit 256 k x 8 Parallel - 40 C + 85 C Reel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

SRAM SMD/SMT sTSOP-32 2 Mbit 256 k x 8 Parallel - 40 C + 85 C Reel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-32 2 Mbit 256 k x 8 Parallel - 40 C + 85 C