PSRAM (Pseudo SRAM) Speicher-ICs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Organisation
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8
Datenblatt
198erwartet ab 24.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 66

DRAM SMD/SMT SOIC-8 64 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C
Alliance Memory DRAM 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
Datenblatt
72 367Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-49 64 Mbit 4 M x 16 - 30 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Rolle: 5 000

DRAM SMD/SMT WLCSP-24 128 Mbit 16 M x 8/8 M x 16 - 40 C + 85 C Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, 1.8V, USON8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
Rolle: 10 000

DRAM SMD/SMT USON-8 16 Mbit 2 M x 8 - 25 C + 85 C Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Rolle: 5 000

DRAM SMD/SMT WLCSP-8 16 Mbit 2 M x 8 - 40 C + 85 C Reel

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp., SOP8
Datenblatt
Vorlaufzeit 20 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

DRAM SMD/SMT SOP-8 16 Mbit 2 M x 8 - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Rolle: 5 000

DRAM SMD/SMT WLCSP-8 16 Mbit 2 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

DRAM SMD/SMT BGA-24 256 Mbit 32 M x 8 - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Rolle: 5 000

DRAM SMD/SMT WLCSP-24 256 Mbit 32 M x 8/16 M x 16 - 40 C + 85 C Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Rolle: 5 000

DRAM SMD/SMT WLCSP-8 64 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Rolle: 5 000

DRAM SMD/SMT WLCSP-13 64 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
AP Memory APS12804O-SQRH-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Rolle: 5 000

DRAM SMD/SMT WLCSP-15 128 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Rolle: 5 000

DRAM SMD/SMT WLCSP-24 256 Mbit 32 M x 8/16 M x 16 - 40 C + 85 C Reel
AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

DRAM SMD/SMT BGA-24 256 Mbit 32 M x 8/16 M x 16 - 40 C + 105 C Tray
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SRAM SMD/SMT BGA-54 Reel
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SRAM SMD/SMT BGA-54 Reel

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

DRAM SMD/SMT TFBGA-24 64 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C Reel

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

DRAM SMD/SMT TFBGA-24 64 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

DRAM SMD/SMT SOIC-8 64 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

DRAM SMD/SMT SOIC-8 64 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

DRAM SMD/SMT SOIC-8 64 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

DRAM SMD/SMT SOIC-8 64 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

DRAM SMD/SMT SOIC-8 32 Mbit 4 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

DRAM SMD/SMT SOIC-8 32 Mbit 4 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
Alliance Memory DRAM 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

DRAM SMD/SMT FBGA-49 64 Mbit 4 M x 16 - 30 C + 85 C Reel