Integrierte Schaltkreise - ICs

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Menge RoHS
Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 275 IO 1.2V 4 Spd
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 450
Mult.: 90

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 207 IO 1.2V 4 Spd
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 90
Mult.: 90

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 115 IO 1.2V 1 Spd
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 207 IO 1.2V 2 Spd
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 119
Mult.: 119

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 207 IO 1.2V 6 Spd
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 90
Mult.: 90

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 275 IO 1.2V 1 Spd
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 450
Mult.: 90

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 105 IO 1.2V 5 Spd
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

Lattice FPGA – Universalschaltkreis Lattice MachXO2 Low Power; 4320 LUTs; 1.2V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 260
Mult.: 260

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 207 IO 1.2V 6 Spd
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 90
Mult.: 90

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 279 IO 3.3V 5 Spd
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 105 IO 1.2V 5 Spd
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs, 151 I/O 1.2V, -4 Speed, COM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

Lattice FPGA – Universalschaltkreis Lattice MachXO2 High Performance; 4320 LUTs; 2.5/3.3V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 260
Mult.: 260

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 207 IO 3.3V 6 Spd
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 90
Mult.: 90

ADLINK Technology DDR4 2400 260P 4GB non-ECC SODIMM
ADLINK Technology Speichermodule DDR4-2400, 4GB, 512x64, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:1, CL17, non-ECC, OP Temp:0-85, Fix Die:No, Samsung Chip(512M x16*4 ) height:30mm Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 500

ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

ISSI IS43LR32400G-6BLI-TR
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile DDR, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 275 IO 1.2V 3 Spd
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 450
Mult.: 90

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 207 IO 1.2V 1 Spd
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Lattice FPGA – Universalschaltkreis 4320 LUTs 207 IO 1.2V 5 Spd
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 90
Mult.: 90