Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Intelligent Memory Dynamic Random Access Memory (DRAM) includes a full range of JEDEC-compliant DRAMs and ECC DRAMs (SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, DDR4, LPDDR4). From an application's point of view, these components work like a monolithic device. The DRAM devices allow for maximum levels of memory density without altering existing board layouts or designs.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS Produkt-Typ Montageart Verpackung/Gehäuse Speichergröße Organisation Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Verpackung
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 512Mx4, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-60 Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-60 2 Gbit 512 M x 4 0 C + 95 C Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 256Mx8, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-60 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-60 2 Gbit 256 M x 8 - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory DRAM ECC DDR3, 1Gb, 1.5V, 128Mx8, 667MHz (1333Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

DRAM SMD/SMT FBGA-78 1 Gbit 128 M x 8 - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit 128 M x 32 - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit 256 M x 32 - 40 C + 95 C Tray