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EVLSTDRIVEG212

Name: STMicroelectronics EVLSTDRIVEG212
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-EVLSTDRIVEG212
Price: 48.6 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-EVLSTDRIVEG212

Herst.- Nr.:

EVLSTDRIVEG212

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Evaluation board for STDRIVEG212 220 V high-speed half-bridge gate driver with 2.2 mOhms, 100 V e-mode GaN HEMT

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Datenblatt:

EVLSTDRIVEG212 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung
Produkt:	Evaluation Boards
Typ:	Gate Driver
Eingangsspannung:	12 V
Tool für die Evaluierung von:	STDRIVEG212
Marke:	STMicroelectronics
Abmessungen:	56 mm x 79 mm
Verpackung:	Bulk
Produkt-Typ:	Power Management IC Development Tools
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Development Tools
Gewicht pro Stück:	100 g

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Datenblatt

EVLSTDRIVEG212 Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 9030820000
USHTS:: 9030820000
KRHTS:: 9030820000
TARIC:: 9030820000
MXHTS:: 9030820100
ECCN:: EAR99

EVLSTDRIVEG212 Evaluierungsboard

Das Evaluierungsboard EVLSTDRIVEG212 von STMicroelectronics ist einfach zu nutzen, außerdem ist es schnell und geeignet für die Evaluierung der Eigenschaften des Bauteils STDRIVEG212, der zwei emode-GaN-Schalter mit 2,2 mΩ (typ.) und 100 V in einer Halbbrückenkonfiguration ansteuert. Das Bauteil STDRIVEG212 ist ein Hochgeschwindigkeits-Halbbrücken-Gate-Treiber mit 220 V, der für den Betrieb von Enhanced-Mode-GaN-HEMTs mit 5 V optimiert ist. Es verfügt über getrennte Hochstrom-Sink-/Source-Gate-Ansteuerungs-Pins, integrierte LDOs, Unterspannung, Bootstrap-Diode, High-Side-Schnellstart, Übertemperatur, Fehler-/Abschalt-Pins und Standby, um Hard-Switching-Topologien in einem 4 mm x 5 mm großen QFN-Gehäuse vollständig zu unterstützen. Das Board EVLSTDRIVEG212 eignet sich auch zur Evaluierung der Funktionen des Bauteils STDRIVEG612.