CoolSiC™ 750 V-G1-SiC-Trench-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G1 SiC Trench MOSFETs helfen EV-Herstellern, 11 kW und 22 kW bidirektionale Onboard -Ladegeräte mit erhöhtem Wirkungsgrad, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit zu entwickeln. Diese Bauteile arbeiten zuverlässig bei hohen Temperaturen (Tj,max +175 °C) und verfügen über die proprietäre Trench-MOSFET-Technologie von Infineon™. XT Plättchen Größe - Technologie für erstklassige thermische Impedanz bei gleicher Plättchengröße.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Infineon Technologies SiC-MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
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341Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 89 A 22 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 81 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
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141Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 60 A 36 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
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226Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 32 A 78 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
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191Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 23 A 117 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 15 nC - 55 C + 175 C 113 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
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288Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 16 A 182 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 13 nC - 55 C + 175 C 86 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 75 A 27 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 67 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 52 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement