Microchip SiC-MOSFETs

Ergebnisse: 119
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268
Datenblatt
242Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 59 A 35 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 178 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
Datenblatt
862Auf Lager
270erwartet ab 27.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247
Datenblatt
44Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 149 A 19 mOhms - 10 V, + 25 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247
Datenblatt
58Auf Lager
56erwartet ab 18.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247
Datenblatt
49Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 50 mOhms - 10 V, + 25 V 1.8 V 140 nC - 55 C + 175 C 311 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247
Datenblatt
140Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 39 A 69 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 56 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4
Datenblatt
55Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 39 A 75 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 56 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-268
Datenblatt
144Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 37 A 69 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 56 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
Datenblatt
63Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 80 mOhms - 10 V, + 23 V 2.8 V 64 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-268
Datenblatt
63Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 100 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 64 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247
Datenblatt
162Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 28 A 111 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 38 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-268
Datenblatt
88Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1.2 kV 180 mOhms
Microchip Technology SiC-MOSFETs 1200V, 360mOhms N-Channel mSiC MOSFET
Datenblatt
20Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1.2 kV 360 mOhms
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247
Datenblatt
188Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 5 A 750 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-268
Datenblatt
45Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 4.4 A 750 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch
Datenblatt
230Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 3.3 kV 41 A 105 mOhms - 10 V, + 23 V 2.97 V 55 nC - 55 C + 150 C 381 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-268
Datenblatt
Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 25 A 111 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 38 nC - 55 C + 175 C 91 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-247
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1.2 kV 180 mOhms
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 360 mOhm TO-268
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1.2 kV 360 mOhms
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm PSMT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 200
Mult.: 200
Rolle: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 700 V 32 A 112 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm PSMT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100
Rolle: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 225 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 36 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 360 mOhm PSMT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 200
Mult.: 200
Rolle: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 11 A 450 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-263-7L-XL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 200
Mult.: 200
Rolle: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6 A 940 mOhms - 10 V , + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268, TAPE & REEL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400
Rolle: 400

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 40 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 137 nC - 55 C + 175 C 303 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm PSMT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 300
Mult.: 1 300
Rolle: 1 300

SMD/SMT PSMT-16 N-Channel 1 Channel 700 V 48 A 75 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 56 nC - 55 C + 175 C 215 W Enhancement