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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Verpackung
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K
10 000erwartet ab 20.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 10 000

Si SMD/SMT X2-DFN0806-3 N-Channel 1 Channel 20 V 520 uA 990 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 410 pC - 55 C + 150 C 410 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 105 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
Rolle: 10 000
Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 14.1 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement Reel

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 105 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 110 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 41.9 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 150 A 550 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 152.7 nC - 55 C + 175 C 2.13 W Enhancement Reel

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 110 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 41.9 nC - 55 C + 175 C 2.98 W Enhancement Reel