Diodes Incorporated IGBTs

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Diodes Incorporated IGBTs IGBT 600V-X
Datenblatt
982Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si ITO-220AB-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 30 A 48 W - 40 C + 175 C Tube
Diodes Incorporated IGBTs IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
Datenblatt
395Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2 V - 20 V, 20 V 50 A 348 W - 40 C + 175 C Tube