STMicroelectronics IGBTs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
STMicroelectronics IGBTs 7A 1200 V Very Fast IGBT Power Bipolar
Datenblatt
22Auf Lager
3 000erwartet ab 17.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 14 A 75 W - 55 C + 150 C STGP3NC120HD Tube
STMicroelectronics IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
Datenblatt
2 912Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 15 A 56 W - 55 C + 150 C STGP6NC60HD Tube