1700-V-Doppel-IGBT-Module

Die 1700-V-Dual-IGBT-Module von Infineon Technologies sind für industrielle Anwendungen gemäß den relevanten Tests nach IEC 60747, 60749 und 60068 qualifiziert. Die Module haben elektrische Eigenschaften wie VCES = 1.700 V, IC nom bis zu 1.500 A/ICRM = 1.800 A. Die Bauteile verfügen außerdem über einen integrierten Temperatursensor, eine hohe Stromdichte und eine niedrige VCE.

Ergebnisse: 5
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Pd - Verlustleistung
Verpackung/Gehäuse
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 200 A dual IGBT module
Datenblatt
13Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Dual 1.7 kV 2.3 V 310 A 100 nA 1.25 kW Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FF225R17ME7B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 225 A dual IGBT module
Datenblatt
7Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 225 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF900R17ME7B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 900 A dual IGBT module
Datenblatt
6Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 750 A dual IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF1500R17IP5RBPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 1500 A dual IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 2
Mult.: 2

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.5 kA 400 nA 1.5 MW - 40 C + 175 C Tray