NXH100B120H3Q0 Dual-Aufwärts-Leistungsmodule

Die NXH100B120H3Q0 Dual-Aufwärts-Leistungsmodule von onsemi verfügen über einen hohen Wirkungsgrad und eine hervorragende Zuverlässigkeit. Die NXH100B120H3Q0 integrierten Field-Stop-Trench-IGBTs und SiC-Dioden bieten geringere Leitungs- und Schaltverluste. Die NXH100B120H3Q0 Dual-Aufwärts-Leistungsmodule eignen sich hervorragend für Energiespeichersysteme, Solarwechselrichter und unterbrechungsfreie Stromversorgungsapplikationen.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Pd - Verlustleistung
Verpackung/Gehäuse
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
onsemi IGBT-Module PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN TIM)
Datenblatt
28Auf Lager
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SiC IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.77 V 50 A 800 nA 186 W Q0BOOST - 40 C + 150 C Tray
onsemi IGBT-Module PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN TIM)
Datenblatt
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SiC IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.77 V 50 A 800 nA 186 W Q0BOOST - 40 C + 150 C Tray