HiPerFET Diskrete Halbleitermodule

Ergebnisse: 4
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Vgs - Gate-Source-Spannung
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
IXYS Diskrete Halbleitermodule 26 Amps 1000V 0.39 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si - 30 V, + 30 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN26N100 Tube
IXYS Diskrete Halbleitermodule 26 Amps 1200V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si - 30 V, + 30 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN26N120 Tube
IXYS Diskrete Halbleitermodule 30 Amps 1200V 0.35 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si - 30 V, + 30 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN30N120 Tube
IXYS Diskrete Halbleitermodule 38 Amps 800V 0.22 Rds
Datenblatt
Nicht auf Lager

Si - 30 V, + 30 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN38N80 Tube