Lötverbindungs-Power-Block IGBT-Module

Infineon Lötverbindungs-Power-Block IGBT-Module bestehen aus einer Lötverbindungs-Technologie, welche die spezifischen Anforderungen der wirtschaftliche Anwendungen umsetzt. Diese neuen Powermodule erweitern sein bereits umfassendes Leistungsmodul-Portfolio, das bisher nur Druckkontakte verwendete. Mit Marktpreisen von rund 25 Prozent (je nach Modul/Anwendung) weniger als zugehörige Druckkontaktvarianten bieten die Lötverbindungs-Module deutliche Kostenvorteile gegenüber Modulen mit kleineren Gehäusegrößen von bis zu 50 mm. Die kleinen Löt-PowerBlock-Module sind ideal für Anwendungen wie Standard-Laufwerke oder USV, wo die hohe Robustheit der Druckkontakte nicht unbedingt ein Muss ist.
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Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule 20mm Solder Bond Thyristor/Diode 5Auf Lager
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Thyristor-Diode Modules Thyristor / Diode Si Screw Mount - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule L#T-BOND MODULE 16Auf Lager
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Thyristor-Diode Modules Phase Control Si 1.6 kV Screw Mount PB34 - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule L#T-BOND MODULE
2erwartet ab 19.03.2026
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Thyristor-Diode Modules Phase Control Si 1.6 kV Screw Mount PB34 - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule 20mm Solder Bond Thyristor/Diode Vorlaufzeit 30 Wochen
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Thyristor-Diode Modules Thyristor / Diode Si Screw Mount - 40 C + 125 C Tray