Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Vgs - Gate-Source-Spannung
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
IXYS Diskrete Halbleitermodule 26 Amps 1000V 0.39 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si - 30 V, + 30 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN26N100 Tube
IXYS Diskrete Halbleitermodule 26 Amps 1200V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si - 30 V, + 30 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN26N120 Tube
IXYS Diskrete Halbleitermodule 30 Amps 1200V 0.35 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si - 30 V, + 30 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN30N120 Tube