1200 V CoolSiC™-M1H-Module

Infineon Technologies 1.200 V CoolSiC™ M1H Module bieten Entwicklern von EV-Ladegeräten und anderen Wechselrichter die Möglichkeit, um nie dagewesene Effizienz und Leistungsdichten-Niveaus zu erreichen.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
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Technologie
Vf - Durchlassspannung
Vr - Sperrspannung
Vgs - Gate-Source-Spannung
Montageart
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
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Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
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24Auf Lager
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MOSFET Modules Si 4.2 V 1.2 kV - 7 V to + 20 V SMD/SMT Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
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4Auf Lager
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Si 4.2 V - 10 V, + 23 V Press Fit - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule EASY
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48Auf Lager
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Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
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14Auf Lager
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
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22Auf Lager
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Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
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20Auf Lager
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
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16Auf Lager
Min.: 1
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule MEDIUM POWER 62MM
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13Auf Lager
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Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule MEDIUM POWER 62MM
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9Auf Lager
16erwartet ab 22.05.2026
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Si M1H Tray


Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
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39Auf Lager
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Si M1H Tray


Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
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24Auf Lager
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Si M1H Tray


Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
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17Auf Lager
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Si M1H Tray


Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule CoolSiC MOSFET booster module 1200 V
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24Auf Lager
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Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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5Auf Lager
24erwartet ab 10.04.2026
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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3Auf Lager
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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8Auf Lager
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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22Auf Lager
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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29Auf Lager
Min.: 1
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule CoolSiC MOSFET halfbridge module 1200 V
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36Auf Lager
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
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2Auf Lager
10erwartet ab 26.03.2026
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CoolSiC Trench MOSFET Half Bridge SiC - 10 V, 23 V Stud Mount - 40 C + 175 C M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
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22Auf Lager
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Nein
Si M1H Tray


Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule CoolSiC MOSFET booster module 1200 V
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22Auf Lager
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Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
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15erwartet ab 05.03.2026
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Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Module
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
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Half Bridge Si M1H Tray